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        HEX-302C

         

        產品說明 規格參數

            HEX-302C廣泛應用于

            開環霍爾效應電流傳感器、鉗流表

            GaAs砷化鎵作為第二代半導體,其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱,制成的半導體器件相對于傳統的硅半導體具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,這就使得使用該材料制作的霍爾線性器件具有更高的可靠性和穩定性,更適合用于安全性、速度要求更高的領域(諸如安防、精密設備制造等)。

            GaAs砷化鎵霍爾典型應用

            砷化鎵霍爾器件是一種磁敏器件,在精密測磁、自動化控制、通訊、計算機、航空航天、工業探傷、民用電器、辦公自動化、汽車、醫療儀器、鉗流表、電流電壓傳感器和國防工業領域有著廣泛的應用。

            產品型號:HEX-302C

            品牌:HEX

            霍爾特性:GaAs砷化鎵高靈敏度型霍爾

            工作溫度:-40°C~125°C

            電壓:55mV

            輸入阻抗:650Ω

            輸出阻抗:650Ω

            封裝:4-pin SIP ;DIP-4

            包裝:500 pcs/袋

            備注:In stock/ New original packing/ Rohs無鉛環保

            (可完全替代HG302C)

           

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