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        • MOS管/IGBT模塊

        RN1401

         

        產品說明 規格參數

            型號:RN1401

            封裝:SOT-23

            包裝:3,000

            類別:分立半導體產品

            晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

            系列 -

            包裝 帶卷 (TR)

            晶體管類型 NPN - 預偏壓

            電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 100mA

            電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50V

            電阻器 - 基底 (R1) (Ω) 4.7k

            電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω) 4.7k

            不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V

            不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值) 300mV @ 250µA,5mA

            電流 - 集電極截止(最大值) 500nA

            頻率 - 躍遷 250MHz

            功率 - 最大值 200mW

            安裝類型 表面貼裝

            封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

            供應商器件封裝 S-Mini

            品牌:東芝TOSHIBA

            型號:RN1401

            工作電壓:50V

            輸出電流:100mA

            工作溫度:-55℃-150℃

            封裝:SOT-23

            包裝:3,000

            類別:分立半導體產品

           

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